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IGBT晶圓
激光退火 | LA
IGBT晶圓激光退火 | LA
應用領域
硅基IGBT晶圓離子激活
產(chǎn)品特點

  • 高可靠性、成熟穩(wěn)定

  • 全自主光學系統(tǒng)

  • 優(yōu)良的熱預算控制,有效降低碎片風險

  • 低至50μm超薄TaiKo晶圓處理能力

技術指標



晶圓尺寸6寸、8寸、12寸
激光功率60W*290W*260W*2+300W90W*2+300W
激光能量密度≥5J/cm2×2
激活率≥95%@B+≥90%@P+
RS不均勻性片內(nèi)：≤1%@3sigma片間：≤1%@3sigma
工藝效果無碎片、無裂紋、鍵合片退火后邊緣無翹曲